公主坟草根网

三星发布业界首个12层3D-TSV芯片封装工艺 可满足大容量HBM需求

　　三星宣布成功开发出界首个12层3D-TSV（直通硅通孔）技术。这是业界首个将3D TSV封装推进到12层的工艺，而此前最大仅为8层。

　　3D-TSV最多用在HBM显存上，这种技术通过芯片内部的打孔填充金属导电材料实现多层芯片互联，其速度更快，密度更高。和前夫同居的日子三星此次公布的12层DRAM封装工艺需要在720微米厚的芯片上打超过60000个TSV孔，这些孔的尺寸仅为人头发丝的二十分之一。

　　相比于8层HBM2，其芯片厚度相同，但是能够增加DRAM容量。厂商也无需调整系统配置。三星相关负责人表示，随着AI、高性能计算等领域的高速发展，确保超高性能存储器所有复杂性的封装技术正在变得越来越重要。而伴随着摩尔定律达到极限，3D-TSV所扮演的角色将越来越关键。我们希望站在这一最新芯片封装技术的最前沿。

　　每日头条、业界资讯、热点资讯、爆料，全天微博播报。各种爆料、内幕、花边、资讯一网打尽。百万互联网粉丝互动参与，TechWeb微博期待您的关注。